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isc N-Channel Mosfet Transistor

DESCRITION ·Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES ·Drain Current –ID= 8.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.0Ω(Max) ·Avalanche Energy Specified ·Fast Switching ·Simple D

ISC

无锡固电

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)

Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power

IRF

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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伊泰克电子

N-Channel MOSFET

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N-Channel MOSFET

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仙童半导体

更新时间:2025-12-31 12:07:01
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