型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF9530NL

iscP-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤200mΩ(@VGS=-10V;ID=-8.4A) •Advancedtrenchprocesstechnology •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Fastswitchingapplication.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF9530NL

AdvancedProcessTechnology

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowintern

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF9530NL

PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A)

VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

AdvancedProcessTechnologySurfaceMount

VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

AdvancedProcessTechnology

VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

28V/7ASmartMotorModule

GeneralDescription TheAOZ9530QVisanintegratedhalf-bridgegatedriverwith smartfunctions.Thedeviceincludesonehalf-bridgegate driver,capableofdrivinghigh-sideandlow-sideN-channel MOSFETs.UsingtwoAOZ9530QVforsinglephasemotor driverandthreeAOZ9530QVforthreephase

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures

Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress

MACHINESCREWPANPHILLIPS10-32

文件:130.87 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONEKeystone Electronics Corp.

Keystone公司Keystone Electronics有限公司

KEYSTONE

4CMLOutput,LowJitterClockGenerator

文件:979.91 Kbytes Page:41 Pages

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

4CMLOutput,LowJitterClockGenerator

文件:979.91 Kbytes Page:41 Pages

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

IRF9530NL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9530NL

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 100V 14A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-4 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
22+
TO-262
9450
原装正品,实单请联系
IR
20+
TO-262-3
90000
全新原装正品/库存充足
IR
2024+实力库存
TO-262
4195
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
2015+
TO-262
12500
全新原装,现货库存长期供应
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
IR
1923+
TO-262
6896
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
IR
23+
TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
23+
TO-262
7600
全新原装现货
IR
TO-262
6000
原装现货,长期供应,终端可账期

IRF9530NL芯片相关品牌

  • ASM-SENSOR
  • Central
  • GENESIC
  • Intersil
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