数据列表 IRF840ASPBF， ALPBF
标准包装 800
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
其它名称 IRF840ASTRLPBF-ND
IRF840ASTRLPBFTR
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1018pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），125W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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