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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HEXFET Power MOSFET Description The IRF6612 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geo | IRF |   |
IRF6612TR1PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6612TR1PBF
- 功能描述
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-20 18:55:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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QFN |
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IR |
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NA/ |
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原装现货,当天可交货,原型号开票 |
IRF6612TR1PBF规格书下载地址
IRF6612TR1PBF参数引脚图相关
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- IRF6646
- IRF6645
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- IRF6636
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- IRF6633
- IRF6631
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- IRF6623
- IRF6622
- IRF6621
- IRF6620
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2019-3-25
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