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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HEXFET Power MOSFET Description The IRF6612 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geo | IRF |   |
IRF6612TR1PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6612TR1PBF
- 功能描述
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2026-3-1 10:50:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
||||
Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric MX |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
IR |
24+ |
65230 |
|||||
IR |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
22+ |
QFN |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
IR |
23+ |
QFN |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
QFN |
32000 |
INFINEON/英飞凌全新特价IRF6612TR1即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
IR |
2023+ |
QFN |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
|||
IR |
23+ |
7000 |
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IRF6612TR1PBF规格书下载地址
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2019-3-25
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