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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF6612TR1 | HEXFET Power MOSFET Description The IRF6612 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geo | IRF |   |
IRF6612TR1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6612TR1
- 功能描述
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2026-1-2 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3470 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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VISHAY/威世 |
2023+ |
QFN |
2500 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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IR |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
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IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
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IR |
24+ |
QFN |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
|||
IR |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
||||
IR |
23+ |
7000 |
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IR |
22+ |
QFN |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
QFN |
32000 |
INFINEON/英飞凌全新特价IRF6612TR1即刻询购立享优惠#长期有货 |
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IOR |
0649/0352 |
QFN/DirectFET-M |
2040 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
IRF6612TR1规格书下载地址
IRF6612TR1参数引脚图相关
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- IRF6648
- IRF6646
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2019-3-25
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