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IRF6602 | HEXFET Power MOSFET Description The IRF6602 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance charge product in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with exi | IRF |   | |
IRF6602 | DirectFET Power MOSFET 文件：133.28 Kbytes Page：9 Pages | IRF | | |
IRF6602 | HEXFET Power MOSFET | INFINEON 英飞凌 | | |
HEXFET Power MOSFET Description The IRF6602 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance charge product in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with exi | IRF | | ||
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IRF6602产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6602
- 功能描述
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XX |
23+ |
XX |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
23+ |
QFN |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric MQ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IR |
23+ |
QFN |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IR |
05+ |
原厂原装 |
50051 |
只做全新原装真实现货供应 |
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IR |
25+ |
418 |
公司优势库存 热卖中! |
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IR |
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QFN |
66572 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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IR |
2023+ |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
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IOR |
09+ |
DirectFE |
5500 |
原装无铅,优势热卖 |
|||
IR |
24+ |
65230 |
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2019-3-25
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