IRF630NSTRR价格

参考价格:¥4.6206

型号:IRF630NSTRRPBF 品牌:IR 备注:这里有IRF630NSTRR多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRF630NSTRR批发/采购报价,IRF630NSTRR行情走势销售排行榜,IRF630NSTRR报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH

Fastswitching

Features ·Fastswitching ·100avalanchetested ·Improveddv/dtcapability Application ·DCMotorControlandClassDAmplifier ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Automotive

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ETC

LowFrequencies

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OSCILENT

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OSCILENT

COMPACTDIGITALTHERMOMETERS&THERMO-HYGROMETERS

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PULSETRANSFORMERS

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IRF630NSTRR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF630NSTRR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-21 18:32:02
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