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IRF630NS价格

参考价格：￥2.6249

型号：IRF630NSPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF630NS多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF630NS批发/采购报价，IRF630NS行情走势销售排行榜，IRF630NS报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF630NS

N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30?

Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.200Ω (Typ), VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve

Fairchild

仙童半导体

IRF630NS

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)

Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know

IRF

IRF630NS

HEXFET Power MOSFET

文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF630NS

Power MOSFET

文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages

TEL

IRF630NS

采用 D2-Pak 封装的 200V 单 N 通道 IR MOSFET

Infineon

英飞凌

IRF630NSPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know

IRF

IRF630NSTRLPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know

IRF

IRF630NSPBF

Advanced Process Technology

文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF630NSPBF

Advanced Process Technology

文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF630NSPBF

HEXFET Power MOSFET

文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF630NSRPBF

Advanced Process Technology

文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF630NSTRR

Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

ETC

知名厂家

630

9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso

WXDH

东海半导体

630A

Fast switching

Features • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Application • DC Motor Control and Class D Amplifier • Uninterruptible Power Supply (UPS) • Automotive

GOFORD

谷峰半导体

630A

Fast switching

Features · Fast switching · 100 avalanche tested · Improved dv/dt capability Application · DC Motor Control and Class D Amplifier · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Automotive

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

630

Low Frequencies

文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages

OSCILENT

630

COMPACT DIGITAL THERMOMETERS & THERMO-HYGROMETERS

文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

IRF630NS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF630NS

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF630NS供应商更多...

更新时间：2025-12-12 20:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
IRF630NSTRLPBF
INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌全新特价IRF630NSTRLPBF即刻询购立享优惠#长期有货
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39600
39600
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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D2-PAK
50000
原装现货
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