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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso | WXDH 东海半导体 |   | ||
Fast switching Features • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Application • DC Motor Control and Class D Amplifier • Uninterruptible Power Supply (UPS) • Automotive | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
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COMPACT DIGITAL THERMOMETERS & THERMO-HYGROMETERS 文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
IRF630L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF630L
- 功能描述
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GOFORD/谷峰 |
24+ |
NA/ |
300 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
插件,D6.3xL17.5mm |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
SIS |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
原装 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
原装特价630A-252即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
TOKO |
23+ |
2220 |
9868 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
24+ |
1000 |
||||||
新 |
6 |
全新原装 货期两周 |
|||||
原厂 |
NA |
8650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
GOFORD(谷峰) |
2447 |
TO-251(I-PAK) |
105000 |
72个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
|||
GOFORD |
10 |
IRF630L规格书下载地址
IRF630L参数引脚图相关
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- ku波段
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- k2055
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