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位置：首页 > IC中文资料第882页 > IRF3315

IRF3315价格

参考价格：￥4.1922

型号：IRF3315PBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF3315多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF3315批发/采购报价，IRF3315行情走势销售排行榜，IRF3315报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF3315

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF3315

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Combine with the fast switching speed and ruggedized device design • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤70mΩ • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operati

ISC

无锡固电

IRF3315

采用 TO-220AB 封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

IRF3315L

Isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • With To-262 package • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications

ISC

无锡固电

IRF3315L

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF3315LPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF3315S

Isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • With To-263(D2PAK) package • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications

ISC

无锡固电

IRF3315S

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF3315SPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF3315L

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)

Infineon

英飞凌

IRF3315LPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF3315PBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：237.5 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRF3315PBF

HEXFET Power MOSFET

文件：143.01 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRF3315PBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：237.5 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRF3315S

N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

IRF3315SPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF3315SPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages

IRF

3315

9 mm Square Sealed Incremental Encoder

文件：268.61 Kbytes Page：5 Pages

Bourns

伯恩斯

3315

3315 - 9 mm Square Sealed Incremental Encoder

文件：201.51 Kbytes Page：5 Pages

Bourns

伯恩斯

3315

KR Electronics part number 3315 is a 31.6 MHz Bandpass filter

文件：115.67 Kbytes Page：3 Pages

KR

3315

Heyco짰 Nylon Cable Clamps

文件：100.33 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

3315

Nylon Cable Clamps

文件：84.39 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

IRF3315产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF3315

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF3315供应商更多...

更新时间：2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRF3315
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