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IRF3315S中文资料
IRF3315S数据手册规格书PDF详情
• FEATURES
• With To-263(D2PAK) package
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
• APPLICATIONS
• Switching applications
IRF3315S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF3315S
- 功能描述
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-263 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
IR |
24+ |
D2-PAK |
2350 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原装正品，实单请联系 |
|||
IR |
10+ |
TO-263 |
6294 |
只做原装正品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
D2PAK |
10049 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
501275 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
6000 |
一般纳税人资质，只做原装正品。 |
|||
IR |
2016+ |
TO-263 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
IR |
06+ |
TO-263 |
5000 |
自己公司全新库存绝对有货 |
IRF3315STRLPBF 价格
参考价格：￥4.9061
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
