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IRF3315LPBF中文资料

厂家型号

IRF3315LPBF

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10

功能描述

HEXFET Power MOSFET

MOSFET N-CH 150V 21A TO-262

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF3315LPBF数据手册规格书PDF详情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology

• Surface Mount (IRF3315S)

• Low-profile through-hole (IRF3315L)

• 175°C Operating Temperature

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

• Lead-Free

IRF3315LPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF3315LPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 150V 21A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-7 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-262-3
66
IR
23+
TO-262-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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25+
TO-262
3000
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Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon Technologies
23+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原装正品,支持实单
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
23+
TO-262-3
52753
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
INTERNATIONA
05+
原厂原装
18316
只做全新原装真实现货供应