| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A) Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Low Trr and Soft Diode Recovery ● High Performance Optimised Anti-parallel Diode Applications ● Swit | IRF |   | ||
iscN-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =0.18Ω (MAX) • Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation | ISC 无锡固电 | | ||
HEXFET Power MOSFET 文件：41.64 Kbytes Page：3 Pages | IRF | | ||
Power MOSFET 文件：158.19 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Power MOSFET 文件：201.3 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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