发布企业：深圳市毅创辉电子科技有限公司时间：2025-4-2 9:43:00
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 65 ns
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 101 ns
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
宽度: 4.4 mm
单位重量: 2 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? | IRF International Rectifier |   | ||
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? | IRF International Rectifier | | ||
N-Channel Power MOSFET | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司 | | ||
isc N-Channel Mosfet Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | | ||
N-Channel Trench Process Power MOSFET Transistor | THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体上海思祁半导体有限公司 | | ||
HEXFET Power MOSFET | ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED. | | ||
SEMICONDUCTORS | ETC2List of Unclassifed Manufacturers ETC未分类制造商 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
N -Channel Power MOSFET (55V/110A) | FS First Silicon Co., Ltd | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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