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IRF2903ZSPBF数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 260 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 160 nC
Pd-功率耗散: 290 W
配置: Single
封装: Tube
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
零件号别名: SP001569980
单位重量: 4 g
