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IRF1407S价格

参考价格：￥5.7881

型号：IRF1407STRLPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF1407S多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF1407S批发/采购报价，IRF1407S行情走势销售排行榜，IRF1407S报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF1407S

Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078?? Id = 100A??

Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p

IRF

IRF1407S

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：189.06 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF1407S

采用 D2-Pak 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

IRF1407SPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p

Infineon

英飞凌

IRF1407SPBF

HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A )

Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p

IRF

IRF1407STRLPbF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p

Infineon

英飞凌

IRF1407SPBF

Advanced Process Technology

文件：259.029 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRF1407SPBF_15

Advanced Process Technology

文件：259.029 Kbytes Page：12 Pages

IRF

1407B

RGB Video, High Flex, #26-4 Coax Stranded BC

Product Description RGB Video Coax, 4-26 AWG stranded bare copper conductors, foam HDPE insulation, Duofoil® +95% tinned copper braid shield, inner PVC jackets, flexible PVC jacket

BELDEN

百通

AAT1407

Six-Channel LED Backlight Driver with Integrated Boost and High Frequency Direct PWM Dimming

Features • VIN Range: 4.5V to 5.5V / 5.0V to 26.0V • LX Rated to 50V • Maximum IOUT: 180mA • Up to 92 Efficiency • High Efficiency Light-Load Mode • 6 LED Current Sinks up to 30mA/each ▪ ±2 Accuracy (21mA) ▪ ±2 Matching (21mA) • Flexible Configurations ▪ Disable or Parallel • Switching

SKYWORKS

思佳讯

AC-1407

ALUMINUM CHASSIS

文件：109.8 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

ADG1407

9.5 ohm RON, 16-Channel, Differential 8-Channel, 짹15 V/12 V/짹5 V iCMOS Multiplexers

文件：571.37 Kbytes Page：20 Pages

AD

亚德诺

ADG1407BRUZ

9.5 ohm RON, 16-Channel, Differential 8-Channel, 짹15 V/12 V/짹5 V iCMOS Multiplexers

文件：571.37 Kbytes Page：20 Pages

AD

亚德诺

IRF1407S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF1407S

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF1407S供应商更多...

更新时间：2025-9-26 14:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市能元时代电子有限公司
IRF1407S
IR
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TO-263
50352
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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中天科工半导体（深圳）有限公司
IRF1407STRLPBF
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IRF1407S
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TO-263
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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IRF1407STRLPBF
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D2PAK(TO263)
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深圳市拓亿芯电子有限公司
IRF1407STRLPBF
INFINEON/IR
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TO263
25000
代理原装现货,假一赔十
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