| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRF140_15 | Repetitive Avalanche Ratings 文件：147.86 Kbytes Page：7 Pages | IRF |   | |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：279.62 Kbytes Page：9 Pages | DIODES 美台半导体 | | ||
NPN SILICON TRANSISTOR 文件：87.05 Kbytes Page：2 Pages | CENTRAL | | ||
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER PowerDI짰123 文件：81.09 Kbytes Page：4 Pages | DIODES 美台半导体 | | ||
Simple Drive Requirements 文件：215.75 Kbytes Page：8 Pages | IRF | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
22+ |
DIP |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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IR |
16+ |
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10000 |
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IR |
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IR |
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深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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