| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRF13N50 | N-Channel Power MOSFET 文件：340.33 Kbytes Page：7 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司 |  |   |
500V N-CHANNEL MOSFET 文件：167.88 Kbytes Page：6 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
500V N-CHANNEL MOSFET 文件：178.55 Kbytes Page：6 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
13A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：221.76 Kbytes Page：6 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
Drain Current ID= 13A@ TC=25C 文件：136.32 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
13A 500V N-channel enhanced field effect transistor 文件：849.02 Kbytes Page：5 Pages | YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司 |  | |
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2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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