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UPG133G	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION UPG133G is an L-Band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 100 MHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss. It housed in an original 8 pin SSOP that is smaller than us	NEC 瑞萨	NEC
UPG133G	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION The UPG137GV and UPG138GV are L-Band Single Pole Double Throw (SPDT) GaAs MMIC switches developed for digital cellular, PCS, and WLAN applications. These devices feature wide bandwidth, low insertion loss, and high P1dB. The UPG137GV operates on a +3 to +5 V control voltage, while the	NEC 瑞萨	NEC
UPG133G	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION µPG132G is an L-Band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 100 MHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss. It housed in an original 8 pin SSOP that is smaller than us	NEC 瑞萨	NEC
LM133	3-Ampere Adjustable Negative Regulators 文件：268.49 Kbytes Page：10 Pages	NSC 国半	NSC
LM133K	3-Ampere Adjustable Negative Regulators 文件：268.49 Kbytes Page：10 Pages	NSC 国半	NSC

IRF133R供应商更多...

更新时间：2026-3-16 20:00:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科芯源微电子有限公司	UPG137GV-E1	NEC	2026+	MSOP-8	65428	百分百原装现货实单必成	询价
深圳市威雅利发展有限公司	UPG137GV-E	NEC	01+	MSOP8	2000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市华来深电子有限公司	UPG137GV-E1	NEC	23+	MSOP-8	8650	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
标准国际(香港)有限公司	UPG137GV-E1	NEC	25+		1051	公司优势库存热卖中!	询价
深圳市振宏微科技有限公司	UPG137GV-E1	CEL	23+	NA	1073	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	UPG137GV-E1	NEC	25+23+	MSOP-8	36174	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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深圳市壹芯创科技有限公司	UPG137GV-E1	NEC	22+	MSOP-8	27350	全新原装现货!自家库存!	询价
深圳市中联芯电子有限公司	UPG137GV-E1	NEC	24+	MSOP8	11000	原装正品有挂有货假一赔十	询价

IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IRF1407PBF
IRF1407PBF
2022-7-22
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8