位置:首页 > IC中文资料第5492页 > IRF132R
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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15/16 FEATURES •Suitablemodelforallindustrialapplications •Centertapavailable •Continuousrotationandmechanicalstops bothstandard •Largeelectricalangle:352°±2° •Materialcategorization:Fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |||
FixedRFInductors 文件:90.69 Kbytes Page:1 Pages | COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司 | |||
15/16(33.3mm)LowCostIndeustrialSingleTurnWirewound,BushingMountTypePotentiometer 文件:75.24 Kbytes Page:3 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |||
RUGGEDandLIGHTWEIGHTALUMINUMBATTERYHOLDERS 文件:115.71 Kbytes Page:2 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | |||
AluminumCapacitorsAxialLongLife,DIN-Based 文件:128.35 Kbytes Page:9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |
IRF132R产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF132R
- 功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Coilcraft(线艺) |
24+ |
SMD |
18392 |
免费送样,账期支持,原厂直供,没有中间商赚差价 |
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ADI/亚德诺 |
24+ |
SMD |
39 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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TE/泰科 |
22+ |
NA |
500000 |
只做原装 |
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Amphenol RF |
DC24+ |
1100 |
原厂现货渠道 |
||||
Amphenol(安费诺) |
24+ |
N/A |
7347 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
OTHER |
23+ |
NA |
613 |
专做原装正品,假一罚百! |
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ITT |
101204 |
原装正品,实数库存有上就有,欢迎咨询! |
|||||
AMPHENOL/安费诺 |
2508+ |
/ |
470984 |
一级代理,原装现货 |
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ITT |
21+ |
9000 |
原装正品,实单请联系 |
||||
ITT |
2407+ |
con |
10750 |
只有原装!量大可以订!一片起卖! |
IRF132R规格书下载地址
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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF
IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包(HD型)·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使
2013-2-8
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