位置：首页 > IC中文资料第5492页 > IRF132R
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
1 5/16 FEATURES • Suitable model for all industrial applications • Center tap available • Continuous rotation and mechanical stops both standard • Large electrical angle: 352° ± 2° • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | ||
RUGGED & LIGHTWEIGHT ALUMINUM BATTERY HOLDERS 文件：418.49 Kbytes Page：1 Pages | KEYSTONE Keystone Electronics Corp. | | ||
Fixed RF Inductors 文件：90.69 Kbytes Page：1 Pages | COILCRAFT | | ||
1 5/16(33.3mm) Low Cost Indeustrial Single Turn Wirewound, Bushing Mount Type Potentiometer 文件：75.24 Kbytes Page：3 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
RUGGED and LIGHTWEIGHT ALUMINUM BATTERY HOLDERS 文件：115.71 Kbytes Page：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
IRF132R产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF132R
- 功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPHENOL |
21+ |
射频连接器 |
1738 |
全新原装鄙视假货 |
|||
恩XP |
26+ |
NXP |
86500 |
一级代理专营品牌!原装正品,现货为客户做到零风险!! |
|||
COILCRAFT/线艺 |
2016+ |
SMD |
47700 |
自家库存优势价格出售/高价回收此类产品 |
|||
AMPHENOL/安费诺 |
2508+ |
/ |
470984 |
一级代理，原装现货 |
|||
ITT |
21+ |
9000 |
原装正品，实单请联系 |
||||
JIDC济德 |
24+ |
连接器 |
9999 |
济德连接器/961-0211-076可替代132000-096 |
|||
ADI(亚德诺) |
25+ |
N/A |
7786 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
TE泰科 |
25+ |
Connector |
33559 |
TE泰科全新正品132313-1即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
Anderson Power Products, Inc. |
23+ |
无极性，半配接 |
6000 |
原装正品 原厂代理 可订货 |
|||
ITT |
24+ |
con |
5000 |
降本替代:济德精密型号962-2512-001 |
IRF132R规格书下载地址
IRF132R参数引脚图相关
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深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
DdatasheetPDF页码索引
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