| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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DARLINGTON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS APPLICATIONS Audio Series Regulator General Purpose FEATURES High current capability High reliability RoHS product | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 |   | ||
DARLINGTON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS APPLICATIONS Audio Series Regulator General Purpose FEATURES High current capability High reliability RoHS product | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | | ||
10A, 150V, 0.3廓, N-CHANNEL POWER MOSFETS 文件：281.88 Kbytes Page：4 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：957 Kbytes Page：7 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：1.00803 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BL |
25+ |
DIP-18 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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BL |
25+ |
DIP |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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BELLING/上海贝岭 |
25+ |
TO220 TO220F TO251 TO252 |
820000 |
全新原厂原装正品支持实单 |
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华微 |
23+ |
TO-3PT |
46000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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TOSHIBA/东芝 |
2447 |
DIP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
GALAXY/银河微 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
BL |
1922+ |
DIP |
8200 |
绝对进口原装现货 |
|||
BL |
24+ |
NA |
200 |
进口原装正品优势供应 |
|||
BL |
19+ |
TO-220F |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
JXND |
24+ |
TO-220F |
50000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
IRF10N15B规格书下载地址
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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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