您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 数据手册
  • 丝印反查
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第6512页 > IRF1010Z

IRF1010Z价格

参考价格：￥5.3421

型号：IRF1010ZLPBF 品牌：IR 备注：这里有IRF1010Z多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF1010Z批发/采购报价，IRF1010Z行情走势销售排行榜，IRF1010Z报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF1010Z

AUTOMOTIVE MOSFET

AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switc

IRF

IRF1010Z

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • reliable device for use in a wide variety of applications • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤7.5mΩ • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operati

ISC

无锡固电

IRF1010Z

采用 TO-220 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

IRF1010ZL

AUTOMOTIVE MOSFET

AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switc

IRF

IRF1010ZS

AUTOMOTIVE MOSFET

AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switc

IRF

IRF1010ZLPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages

IRF

IRF1010ZLPBF

Advanced Process Technology

文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRF1010ZLPBF

Advanced Process Technology

Infineon

英飞凌

IRF1010ZPBF

Advanced Process Technology

文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRF1010ZPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages

IRF

IRF1010ZS

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：263.64 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF1010ZS

55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

Infineon

英飞凌

IRF1010ZSPBF

Advanced Process Technology

文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRF1010ZSPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages

IRF

IRF1010ZSPBF_15

Advanced Process Technology

文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRF1010ZSTRLPBF

Advanced Process Technology

文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages

IRF

1010

1010 Pressure Gauge

FEATURES Solid-front case design for safety Wide selection of Bourdon tube materials and pressure ranges PLUS!™ Performance option to dampen vibration, shock and pulsation effects to provide a liquid-fill performance in a dry gauge

ASHCROFT

雅斯科

1010

Dead Blow Nylon Hammers

Die-cast one piece head and handle of aluminium alloy. Fitted with shock absorbent rubber grip. Screw-in faces of special nylon. The hollow head is partially filled with shot which adds to the weight and prevents re-bound. Allowing heavy and effective blows with maximum impact control.

THOR

1010

Colorful Square Tactile Button Switch Assortment - 15 pack

文件：107.37 Kbytes Page：1 Pages

Adafruit

1010PT

Voltage rating up to 3800V

文件：1.35889 Mbytes Page：5 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

1010PTDO

Phase Control Thyristors

文件：1.3645 Mbytes Page：5 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

IRF1010Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF1010Z

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF1010Z供应商更多...

更新时间：2025-11-21 17:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市赛美科科技有限公司
IRF1010ZPBF
INFINEON/
NA
16355
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
深圳市昌和盛利电子有限公司
IRF1010ZS
IR
NEW
TO-263
35890
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
询价
深圳市盈慧通电子有限公司
IRF1010ZSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
2511
标准封装
7000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRF1010ZSTRLPBF
IR
24+
NA/
3350
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳市华斯顿科技有限公司
IRF1010ZSPBF
IR
25+23+
TO-263
27274
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
深圳市宇集芯电子有限公司
IRF1010ZSPBF
IR
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
询价
深圳市胜彬电子有限公司
IRF1010ZS
IR
22+
D2-PAK
8000
原装正品支持实单
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
IRF1010Z
JFS/佳锋盛
23+
TO-220
192299
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
IRF1010ZSTRLPBF
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
询价
深圳市一线半导体有限公司
IRF1010ZS
IR
24+
D2-Pak
8866
询价

IRF1010Z芯片相关品牌

IRF1010Z规格书下载地址

IRF1010Z参数引脚图相关

IRF1010Z数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2

  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7

  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18

  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17

  • IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF

    IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF

    2020-1-12

  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使

    2013-2-8

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2025 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示