位置:IRF1010Z > IRF1010Z详情
IRF1010Z中文资料
IRF1010Z数据手册规格书PDF详情
• DESCRITION
• reliable device for use in a wide variety of applications
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤7.5mΩ
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
IRF1010Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF1010Z
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
19+ |
TO-263-2 |
9600 |
||||
Infineon Technologies |
24+ |
D2PAK |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
3573 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
INFINEON/IR |
15+ |
2500 |
TO-220-3 |
||||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原装正品,实单请联系 |
|||
IR |
17+ |
D2-Pak |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
7807 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
25900 |
新到现货,只有原装 |
IRF1010ZSTRLPBF 价格
参考价格:¥4.1107
IRF1010Z 资料下载更多...
IRF1010Z 芯片相关型号
- C15821
- HK14FD-DC5V-FH2AXG
- IIRF1010N
- IIRF2903Z
- IRF100B202
- LY621024PL-70LLE
- LY621024RL-55SL
- LY6212816GL-70SLIT
- LY6212816ML-55SL
- LY6225616GL-55SL
- LY6225616GL-70SLIT
- LY622568PL-45SLE
- LY622568SL-70LLE
- LY6251216AML-45SL
- LY625128SL-45LLE
- LY6251316LL-70LLT
- LY626416GL-55LLT
- LY626416ML-55SLET
- LY62L10248ML-55LLI
- LY62L10248ML-70LLI
- LY62L5128PL-55SLE
- LY62L5128SL-70SLE
- LY62W2568PL-70SLI
- LY62W51316LL-70LLI
- LY62W51316LL-70SLT
- PE3915-72
- PE3C1000-200CM
- TLV70710PDQNT
- TLV70712PDQNR
- TMP461-SP
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售