型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRC634

PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.45ohm,Id=8.1A)

HEXFETPowerMOSFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

HEXFETPowerMOSFET

文件:1.17673 Mbytes Page:9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

T-1SubminiatureLamps

T-1¼SubminiatureLamps

GILWAY

Gilway Technical Lamp

GILWAY

634MSeriesD-SubConnectors|MachinedPins|HighDensityThreeContactRowswith0.350(8.89mm)FootprintRightAngleBend|Receptacle

Features HighDensityThreeContactRowswith.350(8.89mm)FootprintRightAngleBendwithMachinedContacts .090(2.29mm)ContactSpacing0.078(1.98mm)RowSpacing PlugandReceptaclein15,26,44or62ContactSizes PinandSocketContactMatingDesignwithP.C.TailTermination M

EDACEDAC, All Rights Reserved.

亚得电子亚得电子(东莞)有限公司

EDAC

20VComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor

Description TheACE634combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. Features •N-Channel   VDS(V)=20V   ID=4A   RDS(ON)      

ACE

ACE Technology Co., LTD.

ACE

LowFrequencies

文件:141.01 Kbytes Page:2 Pages

OSCILENT

Oscilent Corporation

OSCILENT

DCaxialfans

文件:249.79 Kbytes Page:1 Pages

EBMPAPST

ebm-papst

EBMPAPST

IRC634产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRC634

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-1 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
08+(pbfree)
TO-2205-Pin(HEXSen
8866
IR
TO-220
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
IOR
21+
TO220
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
ir
2023+
原厂封装
50000
原装现货
IOR
0326+
TO220
596
全新原装 实单必成
IR
23+
TO-220-5
7300
专注配单,只做原装进口现货
IR
23+
TO-220-5L
65480
IOR
22+
TO220
32350
原装正品 假一罚十 公司现货
IOR
0326+
TO220
496
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
23+
TO-2205-Pin(
8600
全新原装现货

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