型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRC634PRF

HEXFET Power MOSFET

文件:1.17673 Mbytes Page:9 Pages

IRF

T-1 Subminiature Lamps

T-1¼ Subminiature Lamps

GILWAY

634M Series D-Sub Connectors | Machined Pins | High Density Three Contact Rows with 0.350 (8.89mm) Footprint Right Angle Bend | Receptacle

Features High Density Three Contact Rows with .350(8.89mm) Footprint Right Angle Bend with Machined Contacts .090(2.29mm) Contact Spacing 0.078(1.98mm) Row Spacing Plug and Receptacle in 15, 26, 44 or 62 Contact Sizes Pin and Socket Contact Mating Design with P.C. Tail Termination M

EDAC

亚得电子

634 Series D-Sub Connectors | High Density Three Contact Rows with .350(8.89mm) Footprint RightAngle Bend | Receptacle

Features High Density Three Contact Rows with .350(8.89mm) Footprint Right Angle Bend Standard Contact Spacing and Row Spacing Optional 9th pin recessed on 15 Contact Size in accordance with VESA Display Data Channel Standard Plug and Receptacle in 15, 26, 44, 62 or 78 Contact Sizes

EDAC

亚得电子

Low Frequencies

文件:141.01 Kbytes Page:2 Pages

OSCILENT

DC axial fans

文件:249.79 Kbytes Page:1 Pages

EBMPAPST

依必安派特

更新时间:2025-12-12 18:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
897
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IR
23+
TO-220-5L
65480
IR
23+
原厂封装
9888
专做原装正品,假一罚百!
IR
25+23+
TO220
14066
绝对原装正品全新进口深圳现货
ir
2023+
原厂封装
50000
原装现货
VBsemi
23+
TO220
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
INTERNATIONA
05+
原厂原装
13448
只做全新原装真实现货供应
ir
24+
N/A
6980
原装现货,可开13%税票
IR
TO-220
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IR
23+
TO-220-5
21368
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

IRC634PRF数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8