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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
9014	NPNSILICONTRANSISTOR FEATURES Powerdissipation PCM:0.4W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司
9014	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TO-92Plastic-EncapsulateTransistors NPNsilicon	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司
9014	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintofourgroups,A,B,C andD,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypethePNPtransistorST9015is recommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
9014	FairchildQFETforSynchronousRectification Introduction FairchildiscurrentlydevelopingandmarketinganewQFETseriesthathasimprovedRDS(on),gatecharge,andswitchingspeedcharacteristics.ThesuperiorfeaturesoftheseQFETsareveryusefulforincreasingtheefficiencyoflowoutputvoltagepowersupplies,makingitspecially	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
9014	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE FEATURES Hightotalpowerdissipation.(450mW) ExcellenthFElinearity. *ComplementarytoUTC9015	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司

IRBL9014供应商更多...

更新时间：2025-8-1 13:47:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
标准国际(香港)有限公司	90147-1203	Molex			72	公司优势库存热卖中!!	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	9014M-CHJ6C	蓝箭	2024	SOT-23	13500	16余年资质绝对原盒原盘代理渠道更多数量	询价
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进口代理
2025-4-2
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8