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IXTH10P60	Standard Power MOSFET Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Low RDS (on) HDMOSTM Process • Rugged Polysilicon Gate Cell Structure • Avalanche Rated • Low Package Inductance - Easy to Drive and to Protect Advantages • Easy to Mount • Space Savings	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTH10P60	Power MOSFETs Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Low RDS (on) HDMOSTM Process • Rugged Polysilicon Gate Cell Structure • Avalanche Rated • Low Package Inductance - Easy to Drive and to Protect Advantages • Easy to Mount • Space Savings	IXYS 艾赛斯	IXYS
DAM10P60D	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：244.13 Kbytes Page：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
DSB10P60PN	High Performance Schottky Diode Low Loss and Soft Recovery Phase leg 文件：97.23 Kbytes Page：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IFCM10P60GD	Control Integrated POwer System 文件：1.08052 Mbytes Page：18 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

IRAMS10P60B供应商更多...

更新时间：2025-12-15 23:01:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	IXTH110N10L2	IXYS/艾赛斯	24+	NA/	5540	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXTH10P60	IXYS	20+	TO-247	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IXTH10P60	IXYS	25+	TO-247	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市诺美思科技有限公司	IXTH10P60	IXYS		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
深圳市朱博士电子科技有限公司	IXTH10P60	IXYS(艾赛斯)	2526+	Original	50000	只做原装优势现货库存,渠道可追溯	询价
深圳市中联芯电子有限公司	IXTH110N10L2	IXYS(艾赛斯)	24+		32000	全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IXTH110N10L2	IXYS	25+	TO-3P	20	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXTH10P60	IXYS	22+	TO2473	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市一线半导体有限公司	IXTH10P60	IXYS	24+	TO-247AD	409		询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	IXTH10P60	IXYS/艾赛斯	2447	SMD	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价

IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8