| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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P-CHANNEL POWER MOSFETs FEATURES • Lower RDS(ON) • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Lower input capacitance • Extended safe operating area • Improved high tmeperature reliability | Samsung 三星 |   | ||
Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
POWER MOSFET Description Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissi | IRF | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.77 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET 文件：277.52 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/VISHAY |
25+ |
TO-220 |
45000 |
IR/VISHAY全新现货IRF9Z24NPBF即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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IR |
25+ |
TO-220 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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IR |
24+ |
TO 220 |
160878 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IR |
25+ |
TO-220 |
22000 |
原装现货假一罚十 |
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INFINEON/英飞凌 |
17+ |
TO-220 |
1174 |
原装现货 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
65400 |
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VISHAY/威世 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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IR(国际整流器) |
24+ |
N/A |
73048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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INFINEON |
2136 |
TO-220 |
45400 |
全新原装公司现货
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IR9Z24规格书下载地址
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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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