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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low switching losses • 10 µS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature co-efficient • Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode • Tight parameter distribution • Lead Free Package Benefit

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 10 µS short Circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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更新时间:2025-12-13 16:45:01
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