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IRG7PH30K10DPBF价格
参考价格：￥30.5352
型号：IRG7PH30K10DPBF 品牌：International 备注：这里有IRG7PH30K10DPBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG7PH30K10DPBF批发/采购报价，IRG7PH30K10DPBF行情走势销售排行榜，IRG7PH30K10DPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG7PH30K10DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low switching losses • 10 µS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature co-efficient • Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode • Tight parameter distribution • Lead Free Package Benefit | IRF |   | |
IRG7PH30K10DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：442.4 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | |
IRG7PH30K10DPBF | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 30A 180W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | |
IRG7PH30K10DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | Infineon 英飞凌 | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：442.4 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 10 µS short Circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：326.49 Kbytes Page：9 Pages | IRF | |
IRG7PH30K10DPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG7PH30K10DPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V 30A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO-247 |
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公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
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2020-1-12
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