型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

T-1SubminiatureLamps

T-1SubminiatureLamps T-1SubminiatureShortTypeLamps

GILWAY

Gilway Technical Lamp

GILWAY

8-BITSINGLE-CHIPMICROCOMPUTER

文件:2.22879 Mbytes Page:303 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

PreassembledCordsetComponents

文件:145.79 Kbytes Page:1 Pages

HeycoHeyco.

海科海科(Heyco)

Heyco

powersupplychipwith3.3Vregulatedoutput

文件:117.59 Kbytes Page:6 Pages

ADTECHADTech

ADTech

ADTECH

PowerRockerSwitches

文件:461.66 Kbytes Page:11 Pages

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic
更新时间:2024-6-15 22:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IDT
2020+
NA
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IDT
23+
NA/
3350
原装现货,当天可交货,原型号开票
RENESAS(瑞萨)/IDT
23+
TQFP32(7x7)
6000
诚信服务,绝对原装原盘
IDT
1844+
NA
6528
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
IDT
23+
PLCC
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
IDT
23+
NA
10826
专做原装正品,假一罚百!
RENESAS(瑞萨)/IDT
1921+
PLCC-32(14x11.46)
3575
向鸿仓库现货,优势绝对的原装!
TI
23+
SOP8
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
BEAU
D/CCALL
59
IDT
23+
589610
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理!

IR7220TR芯片相关品牌

  • AVAGO
  • DAESAN
  • HONEYWELL-ACC
  • HUBERSUHNER
  • IXYS
  • LITEON
  • Micron
  • MMD
  • NJSEMI
  • ROSENBERGER
  • Vicor
  • WALL

IR7220TR数据表相关新闻

  • IR3889MTRPBF

    TheIR3889OptiMOSTM系列IPOL是一款易于使用、完全集成的DC-DC降压稳压器。IR3889具有板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™MOSFET是一种小尺寸解决方案,可提供高效的电力传输。此外,它采用快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制

    2023-11-13
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包(HD型)·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8