| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS ●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment | PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD 寶德華股台灣寶德華股有限公司 |  |   | |
1/4FLATPLUGPHONEPLUGS 文件：26.97 Kbytes Page：1 Pages | SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd. |  | | |
The2AGSpecialFuseswithvariousvoltageratingsprovidespecialelectricperformanceasrequired 文件：698.67 Kbytes Page：4 Pages | LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司 |  | | |
Mini7/8Male4PinFieldAttachable 文件：173.67 Kbytes Page：2 Pages | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 |  | | |
SMKMALETOMALERADIUSRIGHTANGLEADAPTEER 文件：131.57 Kbytes Page：1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Molex |
2348+ |
原厂封装 |
470984 |
一级代理,原装正品! |
|||
2015+ |
5000 |
公司现货库存 |
|||||
TE泰科 |
18+ROHSNEW |
原封/电子元件配件 |
540 |
JACKASSY/RA/PANE1MOUNT/PCB/FAKRE |
|||
MOLEX/莫仕 |
22+ |
9500 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
||||
TE/泰科 |
22+ |
N/A |
6000 |
全新、原装 |
|||
RC1206FR-07220RL |
1200 |
1206 |
|||||
国产 |
16+ |
8*10.5 |
50000 |
深圳现货 |
|||
MOLEX |
22+ |
N/A |
1876045 |
只做原装正品,上了就有货。 |
|||
Switchcraft |
新 |
37 |
全新原装 货期两周 |
||||
COTO |
2019+ |
DIP6 |
30000 |
原厂渠道,提供技术支持 |
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IR220H数据表相关新闻
IR21834S
我司主要从事销售ST、TOS.XILINX、ALTERA、NS、AD、TILT（BB）、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIMQUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、APS
2021-12-22IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
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2020-1-10IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
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2019-5-6IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
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