| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UHF power LDMOS transistor DESCRIPTION Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS transistor encapsulated in a 2-lead flangeless package (SOT538A) with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting base. FEATURES • High power gain • Easy power control • Excellent ruggedness • Source on mounting b | PHILIPS 飞利浦 | |||
TUNER AFC DIODE AFC DIODE The FV1043 is a variable capacitor diode intended for AFC applications, VHF TV applications, FM Receivers. Air craft communications gear, and other receivers in the 1 MHz to 500 MHz. | SEMTECH 先之科 | |||
Integrated Circuit Audio Amplifier for Tape Recorder Features: ● No Transformer Required thanks to Complementary Output Circuit ● Excellent Equalizer Characteristics ● Low–Distortion Recording even if Volumeless because of AGC Circuit Wide Dynamic Range ● Wide Supply Voltage Range: VCC ≥ 4V | NTE | |||
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES FEATURES : * Complete Voltage Range 3.3 to 200 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free | EIC | |||
Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching 文件:50 Kbytes Page:9 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
26+ |
SOT123 |
12300 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
恩XP |
25+23+ |
SOT538A |
36410 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
恩XP |
25+ |
SOT-538A |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
恩XP |
24+ |
SOT-538A |
112 |
||||
恩XP |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
PHI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
恩XP |
24+ |
SOT238A |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
恩XP |
18+ |
SOT538A |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
PHI |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
恩XP |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
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2023-7-3IR1KIT红外线温度计
温度计有一个瞄准激光器,温度范围从 -4°F 到 +752°F
2021-11-6IQXC-42超小型表面贴装石英晶体LFXTAL059585REEL
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2019-11-21IQXO-79x系列表面贴装时钟振荡器LFSPXO056289REEL
IQD的IQXO-79x系列表面贴装时钟振荡器提供3.3 V或1.8 V电压
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特点 提供恒定的和适当的栅极驱动电源不论MOSFET的变压器输出 最大限度地减少损失功率MOSFET体漏极二极管的导通 单机操作 - 初级端没有任何联系 双脉冲抑制施密特触发输入允许在嘈杂的环境中运行 高电流驱动能力 - 2A型 高速运转 - 2MHz的 适应多种拓扑结构,如单端(未来,双端进) 说明 该IR1175是一款高速CMOS控制器设计以驱动N沟道功率MOSFET的使用为同步在大电流,高频率整流器前进转换器具有等于或低于5V直流
2013-3-2IR1210-双低侧驱动器
IR1210是一个低电压,高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术,让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级,设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。 特点 •门极驱动电源电压范围从6至20V •CMOS施密特触发输入上拉 •为两个通道相匹配的传播延迟 •输出与输入相
2012-11-14
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