| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IR-210 | 红外发射管 | ETC 知名厂家 | ETC | |
SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS MJD200 NPN MJD210 PNP NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc | MOTOROLA 摩托罗拉 | |||
5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 25 VOLTS 15 WATTS Complementary Silicon Power Plastic Transistors . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Current Gain — hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc High | MOTOROLA 摩托罗拉 | |||
POWER RECTIFIERS(2.0A,500-1000V) Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers Ideally suite for high voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system. | MOSPEC 统懋 | |||
POWER RECTIFIERS(2.0A,500-1000V)
| MOSPEC 统懋 | |||
Voltage Follower 文件:348.91 Kbytes Page:16 Pages | NSC 国半 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
23+ |
T0220-5P |
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DIP |
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IR |
203 |
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761 |
原装正品 |
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2024-11-26IR2103STRPBF
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2023-4-14IR1KIT红外线温度计
温度计有一个瞄准激光器,温度范围从 -4°F 到 +752°F
2021-11-6IR2101STRPBF
SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , MP6528 门驱动器 , 1 Output 1 Driver 门驱动器 , SMD/SMT 门驱动器 , TSSOP-20 门驱动器
2021-9-10IR2085S-高速,100V的,自振荡50%的占空比,半桥式驱动器
说明 该IR2085S是自激式半桥和50%占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC,其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组,其中fosc的≈1 /(2 * RT.CT)。死区时间可控制,通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度,并保持在整个上升周期开始的高,低产出的匹配。该IR2085S在启动后,每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初
2013-2-10IR2103-半桥驱动器
说明 在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定
2013-2-9
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