型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPS80R600P7

800V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

文件:952.89 Kbytes Page:13 Pages

Infineon

英飞凌

IPS80R600P7

效率和散热性能的新基准

Infineon

英飞凌

MOSFET 800V CoolMOS짧 P7 Power Device

1 The latest 800V CoolMOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features • Best-in-class FOM RDS(on

Infineon

英飞凌

800VCoolMOSªP7PowerTransistor

Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Fullyqualifiedacc.JEDECforIndustrialApplications •Fullyoptimizedportfolio Benefits •Best-in-classperform

Infineon

英飞凌

800V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

文件:933.94 Kbytes Page:13 Pages

Infineon

英飞凌

800V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

文件:963.45 Kbytes Page:13 Pages

Infineon

英飞凌

800V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

文件:1.03023 Mbytes Page:13 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-29 18:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
22+
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO251-3
25000
原装正品,假一赔十!
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO251-3
6820
只做原装,质量保证
Infineon(英飞凌)
24+
TO-251
8850
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
INFINEON
21+
标准封装
100
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO251-3
12700
买原装认准中赛美
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
Infineon(英飞凌)
2447
PG-TO251-3
115000
1500个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长

IPS80R600P7芯片相关品牌

IPS80R600P7数据表相关新闻

  • IPS1025HFQ 高压侧开关

    STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装

    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位

    2012-11-14