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IPP600N25N3价格

参考价格：￥11.9260

型号：IPP600N25N3=FS1 品牌：Infineon Technologies 备注：这里有IPP600N25N3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPP600N25N3批发/采购报价，IPP600N25N3行情走势销售排行榜，IPP600N25N3报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPP600N25N3

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：338.89 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IPP600N25N3G

OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IPP600N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IPP600N25N3G

OptiMOS3Power-Transistor

文件：737.83 Kbytes Page：11 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IPP600N25N3-G

OptiMOS3Power-Transistor

文件：737.83 Kbytes Page：11 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IIPD600N25N3

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Highfrequencyswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤60mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IPB600N25N3G

OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IPB600N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IPB600N25N3

OptiMOS3Power-Transistor

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IPB600N25N3G

OptiMOS3Power-Transistor

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

IPP600N25N3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPP600N25N3

  • 功能描述

    MOSFET N-channel POWER MOS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IPP600N25N3供应商更多...

更新时间：2025-8-2 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
IPP600N25N3G
Infineon(英飞凌)
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ADI
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    2013-2-19

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