位置:首页 > IC中文资料第9691页 > IPD80N06S3

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

OptiMOS-T Power-Transistor

文件:188.29 Kbytes Page:9 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS-T Power-Transistor

INFINEON

英飞凌

IPD80N06S3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD80N06S3

  • 功能描述

    MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-24 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
PG-TO252-3D-PAK(TO
8866
INENOI
25+
SOT252
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
公司只做原装,可来电咨询
ADI
23+
TO-252
7000
INFINEON/英飞凌
22+
TO-252
20000
只做原装
Infineon(英飞凌)
25+
NA
18000
全新原装正品
VBsemi
21+
TO252
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon(英飞凌)
24+
N/A
9855
原装正品现货支持实单
INFINEON/英飞凌
2022+
SOT-252
12888
原厂代理 终端免费提供样品

IPD80N06S3数据表相关新闻