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OptiMOS-T Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

OptiMOS-T Power-Transistor

Infineon

英飞凌

IPD80N06S3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD80N06S3

  • 功能描述

    MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-27 14:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
TO252
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON/英飞凌
2022+
SOT-252
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原厂代理 终端免费提供样品
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2025+
TO-252
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INFINEON/英飞凌
22+
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20000
只做原装
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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原装正品,提供BOM配单服务
Infineon(英飞凌)
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23+
SOT252
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十

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