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IPD80N06S3-09中文资料

厂家型号

IPD80N06S3-09

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9

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPD80N06S3-09产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD80N06S3-09

  • 功能描述

    MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
25+
TO252-3
3000
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INFINEON
24+
PG-TO252-3D-PAK(TO
8866
INFINEON/英飞凌
2022+
SOT-252
12888
原厂代理 终端免费提供样品
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
INFINEON/英飞凌
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
公司只做原装,可来电咨询
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
89630
当天发货全新原装现货