IPD80R3K3P7ATMA1产品资料规格参数

参数

参数名称 属性值

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.3 欧姆 @ 590mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 30μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 120pF @ 500V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 18W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO252-3

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63