发布企业：深圳市兴灿科技有限公司时间：2022-6-24 10:00:00
参数
参数名称 属性值
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.3 欧姆 @ 590mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 30μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 120pF @ 500V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 18W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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