N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Fast switching • Very high commutation ruggedness • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.65Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

CoolMOS™CE适用于硬开关应用和软开关应用，作为现代超结，它可以提供低导通和低开关损耗，进而提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS™CE 结合了最佳的 RDS （on）和封装，适用于手机和平板电脑的低功耗充电器。 • 典型 R DS （on） 和最大 R DS (on) 之间的边距较窄\n• 减少了储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 体二极管稳健性良好，反向恢复电荷（Q rr）较低\n• 经过优化的集成 Rg\n\n优势:\n• 低通态损耗\n• 低开关损耗\n• 兼适于硬开关和软开关\n• 易掌控的转换行为\n• 提高效率，进而降低功耗\n• 减轻设计工作量\n• 使用简便;

650V CoolMOS??CE Power Transistor

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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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丝印代码：DPAK；N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Fast switching • Very high commutation ruggedness • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.65Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

丝印代码：65S650CE；650V CoolMOS CE Power Transistor

Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications

650V CoolMOS??CE Power Transistor

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