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IPD60R750E6数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 5.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 680 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 17.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 48 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
系列: CoolMOS E6
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: IPD60R750E6BTMA1 SP000801094
单位重量: 4 g
