isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • With TO-220F packaging • High speed switching • Very high commutation ruggedness • Easy to use • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz • APPLICATIONS • PFC stages, hard switching PWM stages and resonant s

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

CoolMOS™CE适用于硬开关应用和软开关应用，作为现代超结，它可以提供低导通和低开关损耗，进而提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS™CE 结合了最佳的 RDS （on）和封装，适用于手机和平板电脑的低功耗充电器。 • 典型 R DS （on） 和最大 R DS (on) 之间的边距较窄\n• 减少了储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 体二极管稳健性良好，反向恢复电荷（Q rr）较低\n• 经过优化的集成 Rg\n\n优势:\n• 低通态损耗\n• 低开关损耗\n• 兼适于硬开关和软开关\n• 易掌控的转换行为\n• 提高效率，进而降低功耗\n• 减轻设计工作量\n• 使用简便;

650V CoolMOS??CE Power Transistor

文件：1.16448 Mbytes Page：16 Pages

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件：1.34622 Mbytes Page：17 Pages

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件：1.34622 Mbytes Page：17 Pages

650V CoolMOS??CE Power Transistor

文件：1.16448 Mbytes Page：16 Pages

丝印代码：DPAK；N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Fast switching • Very high commutation ruggedness • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.65Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

丝印代码：65S650CE；650V CoolMOS CE Power Transistor

Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件：1.34622 Mbytes Page：17 Pages

650V CoolMOS??CE Power Transistor

文件：1.16448 Mbytes Page：16 Pages