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IPD60R1K5CE

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

CoolMOS™CE适用于硬开关应用和软开关应用,作为现代超结,它可以提供低导通和低开关损耗,进而提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS™CE 结合了最佳的 RDS (on)和封装,适用于手机和平板电脑的低功耗充电器。 • 典型 R DS (on) 和最大 R DS (on) 之间的边距较窄\n• 减少了储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 体二极管稳健性良好,反向恢复电荷(Q rr)较低\n• 经过优化的集成 Rg\n\n优势:\n• 低通态损耗\n• 低开关损耗\n• 兼适于硬开关和软开关\n• 易掌控的转换行为\n• 提高效率,进而降低功耗\n• 减轻设计工作量\n• 使用简便;

INFINEON

英飞凌

IPD60R1K5CE

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IPD60R1K5CE

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

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INFINEON

英飞凌

IPD60R1K5CE

600V CoolMOS™ CE Power Transistor

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INFINEON

英飞凌

IPD60R1K5CE

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

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INFINEON

英飞凌

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

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INFINEON

英飞凌

丝印代码:DPAK;N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

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英飞凌

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

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英飞凌

IPD60R1K5CE产品属性

  • 类型

    描述

  • OPN:

    IPD60R1K5CEAUMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO252-3

  • VDS max:

    600 V

  • RDS (on) @10V max:

    1500 mΩ

  • ID @25°C max:

    5 A

  • QG typ @10V:

    9.4 nC

  • Special Features:

    price/performance

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -40 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    2.5 V

  • VGS(th) max:

    3.5 V

  • Technology:

    CoolMOS™ CE

更新时间:2026-5-24 23:44:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
25+
PG-TO252-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-3
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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
INFINEO
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TO-252
80000
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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15500
英飞凌优势渠道全系列在售
Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO252-3
6820
只做原装,质量保证
INFINEON
25+
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全新原装!优势库存热卖中!
Infineon
25+
PG-TO252-3
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
Infineon/英飞凌
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!

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