发布企业：深圳市诺美思科技有限公司时间：2021-12-6 11:28:00
IPD60N10S4L12ATMA1参数对照表如下：
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保标识
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 49 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 94 W
下降时间: 21 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
OptiMOSTM-T2 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |   |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD60N10S4L-12 | Infineon(英飞凌) | 24+ | TO252 | 5524 | 原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持 | ||
IPD60N10S4L-12 | VBsemi | 21+ | TO252 | 10026 | 一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 | ||
IPD60N10S4L-12 | Infineon/英飞凌 | 24+ | PG-TO252-3 | 30000 | 原装正品公司现货,假一赔十! | ||
IPD60N10S4L-12 | Infineon(英飞凌) | 24+ | PG-TO252-3 | 15462 | 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 | ||
IPD60N10S4L-12 | INFINEON | 25+23+ | TO-252 | 35417 | 绝对原装正品全新进口深圳现货 | ||
IPD60N10S4L-12 | Infineon/英飞凌 | 21+ | PG-TO252-3 | 6820 | 只做原装,质量保证 | ||
IPD60N10S4L-12 | INFINEON/英飞凌 | 24+ | TO252 | 479 | 只做原厂渠道 可追溯货源 | ||
IPD60N10S4L-12 | Infineon(英飞凌) | 23+ | 标准封装 | 7000 | 原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 | ||
IPD60N10S4L-12 | INFINEON/英飞凌 | 25+ | TO-252 | 12600 | 全新原装正品支持含税 | ||
IPD60N10S4L-12 | INFINEON/英飞凌 | 25+ | TO-252 | 32000 | INFINEON/英飞凌全新特价IPD60N10S4L-12即刻询购立享优惠#长期有货 |
