发布企业：深圳市诺美思科技有限公司时间：2021-12-6 11:28:00
IPD60N10S4L12ATMA1参数对照表如下：
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保标识
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 49 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 94 W
下降时间: 21 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
OptiMOSTM-T2 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |   |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD60N10S4L-12 | INFINEON/英飞凌 | 24+ | SOT-252 | 17139 | 原装进口假一罚十 | ||
IPD60N10S4L-12 | INFINEON/英飞凌 | 23+ | 20000 | 原装现货,可追溯原厂渠道 | |||
IPD60N10S4L-12 | 80000 | ||||||
Infineon/英飞凌 | NEW | SMD | 15000 | 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 | |||
INFINEON/英飞凌 | 2021+ | TO252 | 9000 | 原装现货,随时欢迎询价 | |||
IPD60N10S4L-12 | INFINEON/英飞凌 | 24+ | TO252 | 479 | 只做原厂渠道 可追溯货源 | ||
IPD60N10S4L-12 | INFINEON/英飞凌 | 24+ | TO-252 | 9600 | 原装现货,优势供应,支持实单! | ||
IPD60N10S4L-12 | INFINEON | 24+ | TO252 | 90000 | 原装现货实单必成 | ||
IPD60N10S4L-12 | INFINEON/英飞凌 | 20+ | TO-252 | 16300 | 终端可免费提供样品,欢迎咨询 | ||
IPD60N10S4L-12 | INFINEON | 2024+ | N/A | 70000 | 柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
