IPD60N10S4L12ATMA1参数对照表如下：
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 49 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 94 W
下降时间: 21 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
