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IPD5N25S3-430

OptiMOS??T Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPD5N25S3-430

250 V、N 沟道、最大 430 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T

Infineon

英飞凌

IPD5N25S3-430产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD5N25S3-430

  • 功能描述

    MOSFET Infineon MOSFETs

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 9:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
TO-252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
INFINEON
2020+
a1b2c3
1000
只做原装,可提供样品
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
Infineon
23+
PG-TO252-3
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
Infineon
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
INFINEON/英飞凌
2023+
TO-252
10000
全新原装正品,优势价格
INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
32360
INFINEON/英飞凌全新特价IPD5N25S3-430即刻询购立享优惠#长期有货
INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
9000
全新原装正品支持含税
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
60000

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