型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

OptiMOS-T2 Power-Transistor

文件:168.75 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

60 V、N 沟道、最大 3.5 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2

Infineon

英飞凌

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Fast Recovery Body Diode ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM100N06 series MOSFETs is a new technology, which combines an innovative super junction t

ADV

爱德微

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno

ADV

爱德微

OptiMOSTM Power-Transistor

文件:697.5 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:3.73479 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:433.03 Kbytes Page:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

IPD100N06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD100N06

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-15 20:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
32000
INFINEON/英飞凌全新特价IPD100N06S4-03即刻询购立享优惠#长期有货
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
13150
原装现货,当天可交货,原型号开票
Infineon(英飞凌)
23+
25650
新到现货,只做原装进口
INFINEON
21+
TO-252
9582
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询!
NA
23+
NA
26094
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业
INFINEON/英飞凌
2223+
NA
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
INFINEON/英飞凌
1726+
TO-252
9582
原装现货
I
25+
MP-3ZPTO-
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
Infineon(英飞凌)
23+
PG-TO252-3
19850
原装正品,假一赔十
INFINEON/英飞凌
2450+
TO-252
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!

IPD100N06数据表相关新闻