型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPD100N06S4-03

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPD100N06S4-03

60 V、N 沟道、最大 3.5 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2

Infineon

英飞凌

IPD100N06S4-03产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD100N06S4-03

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 14:26:00
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