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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPD09N03LBG | OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：411.11 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IPD09N03LBG | OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：343.23 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current | PANJIT 強茂 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.77212 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.73664 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.77236 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.73665 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
IPD09N03LBG产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD09N03LBG
- 功能描述
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
infineon |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
INFINEON |
19+ |
TO252-3 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
2500 |
全新原装正品支持含税 |
|||
Infineon |
2005 |
TO252 |
665 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252D-PAK |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO252-3 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
|||
INFINEON |
2016+ |
TO252 |
6523 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO252-3 |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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