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IPD053N08N价格
参考价格：￥4.9339
型号：IPD053N08N3G 品牌：Infineon 备注：这里有IPD053N08N多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPD053N08N批发/采购报价，IPD053N08N行情走势销售排行榜，IPD053N08N报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
OptiMOS3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | Infineon 英飞凌 |   | ||
High frequency switching 文件：336.44 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N 沟道功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰3 Power-Transistor 文件：351.65 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰3 Power-Transistor 文件：351.65 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 80V, 120A, 5.3mW 文件：1.37275 Mbytes Page：9 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：319.38 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IPD053N08N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD053N08N
- 功能描述
MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 90A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINE0N |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-252 |
50945 |
只做全新原装进口现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO252 |
5000 |
原厂原装,价格优势 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252 |
7500 |
A3-7货柜原装正品支持实单 |
|||
INFINEON |
09+PBF |
TO-252 |
340 |
现货 |
|||
VB |
21+ |
PG-TO252-3 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
|||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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IPD053N08N规格书下载地址
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2018-12-30
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